中砂鑽石碟用於半導體化學機械研磨製程,修整研磨墊以達到需求 移除率及平坦度。

1.何謂CMP?

化學機械平坦化（Chemical & Mechanical Planarization或CMP）已大量的用於製造晶片，如積體電路（IC）或動態隨機記憶體（DRAM）。CMP可使晶片上沈積的介電層或導電層平坦化，因此導線可以更密集而層數可以加多。未來半導體將更形輕、薄、短、小，因此CMP製程會益加普及。例如半導體的銅導線制程（Cu CMP）就會成為未來半導體的主流設計。銅導線的線寬更密，使得CMP的需求更加殷切。

2.我們的優勢:

中國砂輪公司使用最先進的鑽石植佈技術，可把鑽石磨粒按照特定的圖案固定在鑽石碟上。這種獨步全球的設計，已使鑽石陣R鑽石碟成為CMP製程最有效率的修整工具。 使用鑽石陣R的立即效果是使晶圓的磨除率保持穩定。傳統的鑽石碟上有數萬顆磨粒。由於分佈不均，只有不及10%的磨粒有適當的間距可以修整拋光墊。大部份的磨粒不僅沒有做功，反而容易阻塞磨漿或刮屑的流動。更有甚者，這些多餘的磨粒還會掉落，增加刮傷晶圓的風險。

傳統的鑽石碟因磨粒分佈不均，工作粒數（Number of Working Crytals）明顯不足。磨鈍這些孤立磨粒的速率就會提高，因此晶圓磨除率下滑的走勢也跟著加快。與此相較，鑽石陣R內的顆粒數雖不及一萬，但因位置適當，大多可以修整拋光墊。由於較多鑽石可以分擔工作，磨粒磨平的速率遲緩，因此晶圓磨除率下降的速率也會減慢。鑽石碟的壽命乃顯著延長。

鑽石陣R在拋光墊表面刻出的紋路較均勻。由於拋光墊不會過度消耗。因此它的壽命也會延長。以具均勻紋路的拋光墊磨除晶圓時其厚度也較均勻。綜上所述，鑽石陣R鑽石碟不僅可減少CMP的耗材，也可提昇CMP的效率，更可改善晶圓的品質及良率，是最理想的鑽石碟修整器。